RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2964
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link