RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2690
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link