RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1424
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link