RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2601
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link