RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
37
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2601
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link