RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3346
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link