RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
42
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3284
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link