RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3243
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link