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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
71
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
34
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3243
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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