RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3078
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link