RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3740
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link