RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3505
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link