RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3310
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link