RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3310
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link