RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2826
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link