RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2399
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link