RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2399
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link