RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2660
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link