RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de 20% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2660
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link