RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2660
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link