RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
5.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
5.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1359
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link