RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
71
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
5.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
1359
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link