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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
71
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
5.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.9
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
71
读取速度,GB/s
12.7
12.9
写入速度,GB/s
7.5
5.2
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1359
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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