RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2841
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-4GBSQ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link