RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2841
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link