RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3417
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link