RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3810
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link