RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB

总分
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

总分
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 28
    左右 -22% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.4 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.5 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 8500
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 20.4
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 16.5
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1988 left arrow 3810

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
内存RAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
内存RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
内存RAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
内存RAM