RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3845
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link