RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2524
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link