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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
15.0
写入速度,GB/s
7.5
9.9
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2524
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
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Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
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