RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2592
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link