RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
8500
Wokół strony 2.75 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
23400
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3360
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link