RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
35
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3036
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link