Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 28
    Wokół strony 11% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 14
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 7.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 12800
    Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    25 left arrow 28
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 14.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 7.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2764 left arrow 2663
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania