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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2663
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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