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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
28
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2663
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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