RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2570
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link