RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3834
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link