RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2680
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link