RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3045
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link