RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3729
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link