RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
22.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3792
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link