RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2562
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link