RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
39
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2562
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link