RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2562
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
UMAX Technology 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link