RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3212
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link