RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
4039
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link