RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2870
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Jinyu 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link