RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
74
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
74
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
1616
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link